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BUK963R3-60E,118  与  IPB029N06N3 G E8187  区别

型号 BUK963R3-60E,118 IPB029N06N3 G E8187
唯样编号 A-BUK963R3-60E,118 A-IPB029N06N3 G E8187
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 293W -
输出电容 822pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 PG-TO263-3
工作温度 175°C -
连续漏极电流Id 120A -
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 10115pF -
长度 - 10mm
Rds On(max)@Id,Vgs 3mΩ@10V,3.3mΩ@5V -
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥15.0758
400+ :  ¥12.3572
800+ :  ¥10.7454
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK963R3-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK963R3-60E_SOT404 N-Channel 293W 175°C 1.7V 60V 120A

¥15.0758 

阶梯数 价格
200: ¥15.0758
400: ¥12.3572
800: ¥10.7454
0 当前型号
IRFS7537TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@100A,10V N-Channel 60V 173A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 800 对比
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥5.159 

阶梯数 价格
10: ¥5.159
100: ¥4.125
314 对比
IRFS3107PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@140A,10V N-Channel 75V 230A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB029N06N3 G E8187 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB029N06N3GE8187ATMA1_PG-TO263-3 60V N-Channel

暂无价格 0 对比
IPB037N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB037N06N3GATMA1_60V 90A 3.7mΩ@90A,10V ±20V 188W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3

暂无价格 0 对比

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